锗片(Ge)

锗片(Ge)
产品详情


Type/Dopant
N-Type/SiP-Type/Zn
DopantAs, SbGa
Growth MethodCZCZ
Diameter2", 3", 4", 6"
Orientation(100)±0.5°
Thickness (µm)175-500um±25um
OF/IFUS EJ
Resistivity (ohm-cm)0.005-300.005-0.4
Etch Pitch Density (/cm2)<300<300
TTV [P/P] (µm)<15
TTV [P/E] (µm)<25
Warp (µm)<25
Surface Finished

P/P, P/E, E/E

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