锗片（Ge）

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产品详情

Type/Dopant	N-Type/Si	P-Type/Zn
Dopant	As, Sb	Ga
Growth MethodCZ	CZ
Diameter	2", 3", 4", 6"
Orientation	(100)±0.5°
Thickness (µm)	175-500um±25um
OF/IF	US EJ
Resistivity (ohm-cm)	0.005-30	0.005-0.4
Etch Pitch Density (/cm2)	<300	<300
TTV [P/P] (µm)	<15
TTV [P/E] (µm)	<25
Warp (µm)	<25
Surface Finished	P/P, P/E, E/E

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